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台积电将于9月推出3nm芯片

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据《商业时报》报道,台积电将于下个月开始量产 3nm (N3) 芯片。预计明年初将向台积电客户交付基于 N3 工艺的首批产品。

图片来源:台积电

通常情况下,台积电会在春季开始量产新工艺技术,以便及时生产足够的芯片,以推出通常在 9 月发布的苹果新 iPhone 机型。但是,N3 节点的开发比平时花费了更长的时间。这就是为什么苹果将在未来的智能手机中使用不同的工艺技术。尽管如此,苹果仍将是第一个获得使用 3nm 工艺技术制造的芯片的台积电客户。

与5nm N5技术相比,N3技术在保持同等功耗水平的情况下将频率提升10-15%,或者在保持频率不变的情况下将晶体功耗降低25-30%。此外,新的生产标准将使芯片上晶体管的密度增加约 1.6 倍成为可能。

N3 节点的主要特点之一是 FinFlex 技术,这应该会增加公司芯片对客户的吸引力。该技术的本质是制造商将允许在单个半导体晶体中使用不同类型的 FinFET 晶体管。该技术可以使 CPU 和 GPU 等复杂产品受益。因此,Apple、AMD、Intel 和 NVIDIA 将能够为某些计算任务提供更高效的解决方案。

展望未来,台积电将推出 N3E、N3P 和 N3S 工艺技术。第一个将是 N3 优化,后两个将是针对各种应用程序类的 N3E 优化。N3P 专注于高性能芯片,而 N3S 专注于提高晶体管密度的节能芯片。这两个流程都计划于 2024 年启动,N3E 将于 2023 年启动。

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