- 三星的第八代 V-NAND 具有业界最高的存储容量和最高的位密度。
- 三星新的1 TB 三级单元第八代 Vertical NAND 已经开始量产。
- 基于 Toggle DDR 5.0 接口,三星第八代 V-NAND 的输入和输出速度高达每秒 2.4 吉比特。
先进内存技术供应商三星电子已按照 2022 年闪存峰会和 2022 年三星内存技术日的承诺开始量产 1 TB 三级单元第 8 代垂直 NAND。凭借其 1 Tb 容量,它具有最高的存储容量迄今为止。
业界最高的位密度
为了能够达到业界最高的位密度,三星显着提高了每个晶圆的位生产率。它基于最新的 NAND 闪存标准,Toggle DDR 5.0 接口。新设备的输入和输出速度高达每秒 2.4 Gb,比上一代提高了 1.2 倍。
其性能将使新的 V-NAND 能够满足 PCIe 4.0 以及更高版本的 PCIe 5.0 的要求。三星的第 8 代 V-NAND 有望成为存储配置的基石,有助于扩展下一代企业服务器的存储容量,同时将其应用扩展到可靠性尤为关键的汽车市场。三星电子闪存产品与技术执行副总裁 SungHoi Hur 表示,
« 随着市场对更密集、更大容量的存储需求推动更高的 V-NAND 层数,三星采用了其先进的 3D 缩放技术来减少表面积和高度,同时避免通常在按比例缩小时发生的单元间干扰. 我们的第八代 V-NAND 将有助于满足快速增长的市场需求,并使我们能够更好地提供更多差异化的产品和解决方案,这将是未来存储创新的基础。»
转载请注明:VPS资讯_海外云服务器资讯_海外服务器资讯_IDC新闻 » 三星开始量产第 8 代 Vertical NAND