三星开始量产第 8 代 Vertical NAND

• 三星的第八代 V-NAND 具有业界最高的存储容量和最高的位密度。
• 三星新的1 TB 三级单元第八代 Vertical NAND 已经开始量产。
• 基于 Toggle DDR 5.0 接口，三星第八代 V-NAND 的输入和输出速度高达每秒 2.4 吉比特。

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先进内存技术供应商三星电子已按照 2022 年闪存峰会和 2022 年三星内存技术日的承诺开始量产 1 TB 三级单元第 8 代垂直 NAND。凭借其 1 Tb 容量，它具有最高的存储容量迄今为止。

业界最高的位密度

为了能够达到业界最高的位密度，三星显着提高了每个晶圆的位生产率。它基于最新的 NAND 闪存标准，Toggle DDR 5.0 接口。新设备的输入和输出速度高达每秒 2.4 Gb，比上一代提高了 1.2 倍。

其性能将使新的 V-NAND 能够满足 PCIe 4.0 以及更高版本的 PCIe 5.0 的要求。三星的第 8 代 V-NAND 有望成为存储配置的基石，有助于扩展下一代企业服务器的存储容量，同时将其应用扩展到可靠性尤为关键的汽车市场。三星电子闪存产品与技术执行副总裁 SungHoi Hur 表示，

« 随着市场对更密集、更大容量的存储需求推动更高的 V-NAND 层数，三星采用了其先进的 3D 缩放技术来减少表面积和高度，同时避免通常在按比例缩小时发生的单元间干扰. 我们的第八代 V-NAND 将有助于满足快速增长的市场需求，并使我们能够更好地提供更多差异化的产品和解决方案，这将是未来存储创新的基础。»